第三代半导体功率二极管：碳化硅材料的技术突破与优势

发布时间： 　2025-11-30　 　　文章来源：本站原创

随着第三代半导体技术发展，碳化硅（SiC）功率二极管逐步替代传统硅基器件，凭借宽禁带、高临界击穿电场强度和高热导率的优异特性，在高端电力电子领域实现性能跃升，成为行业升级的核心方向。
与硅基二极管相比，碳化硅肖特基二极管优势显著：正向导通压降更低，高温环境下性能更稳定；反向恢复损耗大幅降低，几乎可忽略，显著提升电路整体效率；耐受温度更高，结温可达200℃以上，减少散热系统复杂度；开关速度更快，适配更高工作频率，缩小无源器件体积与成本。
目前已广泛应用于新能源汽车高压系统、快充桩、工业变频器等场景。随着制造工艺成熟，碳化硅二极管成本逐步下降，推动其在中高端领域的规模化应用，成为功率半导体行业发展的重要增长点。